Infineon ist – laut eigenen Angaben – das weltweit erste und einzige Unternehmen, das Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Dünnwafern fertigt. Dank des größeren Durchmessers im Vergleich zu den gängigen 200-Millimeter-Scheiben können pro Wafer rund zweieinhalbmal so viele Chips gefertigt werden. Kunden profitieren von der neuen Technologie durch schnelle Verfügbarkeit, erhöhte Kapazität und verbesserte Produktivität. Leistungshalbleiter von Infineon zeichnen sich durch niedrige Energieverluste und ihre kleine Bauform aus. Obwohl sie kaum dicker sind als ein Blatt Papier, verfügen die Chips über elektrisch aktive Strukturen auf Vorder- und Rückseite. Die Dünnscheibentechnologie ist dafür die Basis.
„Für die schnelllebige Halbleiterbranche stellt dieser Quantensprung eine technische Revolution dar. Wir sind sehr stolz auf diese Leistung“, sagt Dr. Sabine Herlitschka. Die Innovationskraft von Infineon wurde im Herbst 2012 bereits zum dritten Mal mit dem Innovationspreis des Bundeslandes Kärnten ausgezeichnet. In Österreich konnte sich Infineon dieses Jahr in der Kategorie Großunternehmen als einer von sechs Finalisten unter insgesamt 592 Einreichungen landesweit durchsetzen.
Infineon hat früh auf diese neue Fertigungstechnologie gesetzt und auch in wirtschaftlich schwierigen Zeiten die für das Projekt notwendigen Investitionen bereitgestellt. Zusätzlich wurde durch die Koordination von zwei E.U. Forschungsprojekten das Netzwerk für Forschung und Produktion dieser Schlüsseltechnologie in Europa zielorientiert weiter entwickelt. Mit der resultierenden Innovationsleistung setzt Infineon weltweit neue Maßstäbe bei Grundmaterial, Maschinen, Prozessen und Verfahren für die Fertigung von Leistungshalbleiter, die für künftige Entwicklungen am weltweiten Energieeffizienzmarkt als Schrittmacher fungieren.
Bereits am 9. März 2013 wurde Infineon in der Kategorie Großunternehmen als Finalist für den Innovationspreis der deutschen Wirtschaft in Frankfurt am Main geehrt. Die Jury zeichnete damit das innovative Konzept einer Verbindung des Halbleitermaterials Siliziumkarbid mit einer neuartigen Anordnung von Transistor-Bauelementen aus. Die darauf basierenden Leistungstransistoren sind besonders effizient und minimieren die Verluste bei der Übertragung und Umwandlung elektrischer Energie. Damit kann die neue Technologie als Grundbaustein für die Leistungselektronik der Energiewende angesehen werden.
„Beide Auszeichnungen dokumentieren eindrucksvoll unsere Innovationskraft. Sie ist ein wesentlicher Baustein für unseren Erfolg und Grundlage dafür, dass aus guten Ideen Realität wird“, sagt Dr. Reinhard Ploss, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG.